收藏本站
IXTA130N065T2
IXTP130N065T2
80
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
80
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
70
60
R G = 5 ?
V GS = 10V
V DS = 33V
70
60
R G = 5 ?
V GS = 10V
V DS = 33V
T J = 25oC
50
50
40
I
D
= 130A
40
30
30
20
I
D
= 65A
20
T J = 125oC
10
0
10
0
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
60
70
80
90
100
110
120
130
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
180
36
50
50
160
t r
t d(on) - - - -
32
45
t f
t d(off) - - - -
45
140
120
100
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 33V
28
24
20
40
35
30
R G = 5 ? , V GS = 10V
V DS = 33V
I D = 65A
40
35
30
I D = 130A, 65A
25
25
80
16
20
20
60
40
20
0
12
8
4
0
15
10
5
0
I D = 130A
15
10
5
0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
38
45
150
140
34
t f t d(off) - - - -
R G = 5 ? , V GS = 10V
40
130
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
120
30
T J = 125oC
V DS = 33V
35
110
V DS = 33V
I D = 65A
100
26
22
18
30
25
20
90
70
50
I
D
= 130A
80
60
40
14
10
T J = 25oC
15
10
30
10
20
0
60
70
80
90
100
110
120
130
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
R G - Ohms
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTP140N055T2 MOSFET N-CH 55V 140A TO-220
IXTP14N60PM MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
IXTP170N075T2 MOSFET N-CH 75V 170A TO-220
IXTP18N60PM MOSFET N-CH TO-220
IXTP1N100P MOSFET N-CH 1000V 1A TO-220
IXTP1N100 MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB
IXTP1R6N50P MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220
IXTP200N085T MOSFET N-CH 85V 200A TO-220
相关代理商/技术参数
IXTP130N10T 功能描述:MOSFET MOSFET Id130 BVdass100 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP140N055T2 功能描述:MOSFET 140 Amps 0V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP140P05T 功能描述:MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP14N60P 功能描述:MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP14N60PM 功能描述:MOSFET Polar MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP152N085T 功能描述:MOSFET MOSFET Id152 BVdass85 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP15N20T 功能描述:MOSFET 15 Amps 200V 180 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP15N25MA 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220(5)